IRGS10B60KDTRRP
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| Teilenummer | IRGS10B60KDTRRP |
| PNEDA Teilenummer | IRGS10B60KDTRRP |
| Beschreibung | IGBT 600V 22A 156W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS10B60KDTRRP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS10B60KDTRRP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS10B60KDTRRP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 22A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 44A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | 140µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 38nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/230ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 310µJ (on), 3.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 76ns/815ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 28ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 60A Leistung - max 520W Schaltenergie 300µJ (on), 4.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 290nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/310ns Testbedingung 480V, 60A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 25A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 204nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/93ns Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 521W Schaltenergie 434µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
