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IRGIB4630DPBF

IRGIB4630DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB4630DPBF
PNEDA Teilenummer IRGIB4630DPBF
Beschreibung IGBT 600V 47A 206W TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGIB4630DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB4630DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGIB4630DPBF, IRGIB4630DPBF Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.333,19 KB)
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IRGIB4630DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)47A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 18A
Leistung - max206W
Schaltenergie95µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge35nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/105ns
Testbedingung400V, 18A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220 Full Pack

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXGH41N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 41A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/600ns

Testbedingung

480V, 41A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

APT30GN60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

203W

Schaltenergie

525µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/155ns

Testbedingung

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGY75T120SQDN

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A

Leistung - max

790W

Schaltenergie

6.25mJ (on), 1.96mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

399nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/332ns

Testbedingung

600V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

99ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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