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IRGIB4630DPBF

IRGIB4630DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGIB4630DPBF
PNEDA Teilenummer IRGIB4630DPBF
Beschreibung IGBT 600V 47A 206W TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGIB4630DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGIB4630DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGIB4630DPBF, IRGIB4630DPBF Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 1.333,19 KB)
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IRGIB4630DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)47A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 18A
Leistung - max206W
Schaltenergie95µJ (on), 350µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge35nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/105ns
Testbedingung400V, 18A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220 Full Pack

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Serie

Polar™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGP7NB60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Leistung - max

80W

Schaltenergie

140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/50ns

Testbedingung

480V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT30GN60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

203W

Schaltenergie

525µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/155ns

Testbedingung

400V, 30A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT50GN120B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

4495µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/320ns

Testbedingung

800V, 50A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

SGB06N60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

215µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/220ns

Testbedingung

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

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