IRGBF20F
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRGBF20F |
| PNEDA Teilenummer | IRGBF20F |
| Beschreibung | IGBT FAST 900V 20A TO-220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.178 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGBF20F Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGBF20F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGBF20F Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5.3A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 35A Leistung - max 308W Schaltenergie 220µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/110ns Testbedingung 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A Leistung - max 200W Schaltenergie 9.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/450ns Testbedingung 960V, 25A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 1.38mJ (on), 906µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/163ns Testbedingung 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 270µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/68ns Testbedingung 400V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
