IRG7CH81K10EF
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| Teilenummer | IRG7CH81K10EF |
| PNEDA Teilenummer | IRG7CH81K10EF |
| Beschreibung | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.470 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG7CH81K10EF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7CH81K10EF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7CH81K10EF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 7.5A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 2.5A Leistung - max 53.6W Schaltenergie 50µJ (on), 40µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17.1nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/128ns Testbedingung 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Leistung - max 325W Schaltenergie 3.8mJ (on), 4.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 106nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 35A, 27Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (HB) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 88A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A Leistung - max 230W Schaltenergie 1.3mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/90ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Leistung - max - Schaltenergie 3mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung 480V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
