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IRG4BC30F

IRG4BC30F

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30F
PNEDA Teilenummer IRG4BC30F
Beschreibung IGBT 600V 31A 100W TO220AB
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.526
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4BC30F Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC30F, IRG4BC30F Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 172,16 KB)
PDFIRG4BC30F-STRRP Datenblatt Cover
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IRG4BC30F Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)31A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 17A
Leistung - max100W
Schaltenergie230µJ (on), 1.18mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge51nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/200ns
Testbedingung480V, 17A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/96ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

76W

Schaltenergie

570µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IRG4BC30KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG8P40N120KD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

1.6mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/245ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

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Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

800A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

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Standard

Gate Charge

400nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/340ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

54ns

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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