IRG4BC20SPBF
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| Teilenummer | IRG4BC20SPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC20SPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 19A 60W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC20SPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC20SPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4BC20SPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 19A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 38A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 120µJ (on), 2.05mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 27nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/540ns |
| Testbedingung | 480V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 136W Schaltenergie 90µJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/93ns Testbedingung 400V, 15A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 142ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max 65W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 13.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/69ns Testbedingung 400V, 4A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS (TO-263S) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/189ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
