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IKW50N60H3FKSA1

IKW50N60H3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW50N60H3FKSA1
PNEDA Teilenummer IKW50N60H3FKSA1
Beschreibung IGBT 600V 100A 333W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 9.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKW50N60H3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW50N60H3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW50N60H3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Leistung - max333W
Schaltenergie2.36mJ
EingabetypStandard
Gate Charge315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/235ns
Testbedingung400V, 50A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)130ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

435V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/4.6µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

SKB10N60AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Leistung - max

92W

Schaltenergie

320µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

52nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/178ns

Testbedingung

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

220ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

AUIRGP4066D1-E

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

4.24mJ (on), 2.17mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

APT15GP60KG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

130µJ (on), 121µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/29ns

Testbedingung

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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STGW45NC60WD

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Hersteller

STMicroelectronics

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

285W

Schaltenergie

302µJ (on), 349µJ (off)

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Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/168ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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