IRG4BC20MD-SPBF
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| Teilenummer | IRG4BC20MD-SPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC20MD-SPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 18A 60W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG4BC20MD-SPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC20MD-SPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG4BC20MD-SPBF, IRG4BC20MD-SPBF Datenblatt
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IRG4BC20MD-SPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 18A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 36A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 11A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 410µJ (on), 2.03mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 39nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/463ns |
| Testbedingung | 480V, 11A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 333W Schaltenergie 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 398nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/285ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 78ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 208W Schaltenergie 370µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/90ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 44A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 32A Leistung - max 200W Schaltenergie 10.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 146nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/270ns Testbedingung 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie HB IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 293µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/146ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
