IRG4BC20KPBF
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| Teilenummer | IRG4BC20KPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4BC20KPBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 16A 60W TO220AB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4BC20KPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4BC20KPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4BC20KPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 16A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 32A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 9A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 150µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 34nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/150ns |
| Testbedingung | 480V, 9A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max 125W Schaltenergie 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/30ns Testbedingung 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 75W Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/36ns Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/70ns Testbedingung 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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