IRFS3107TRL7PP
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| Teilenummer | IRFS3107TRL7PP |
| PNEDA Teilenummer | IRFS3107TRL7PP |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 33.702 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFS3107TRL7PP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFS3107TRL7PP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFS3107TRL7PP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 240A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 160A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 370W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK (7-Lead) |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ F6 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 75W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT6 Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket HUML2020L8 Paket / Fall 8-PowerUDFN |
Hersteller Vishay Siliconix Serie E FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1451pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 33W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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