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STL42P4LLF6

STL42P4LLF6

Nur als Referenz

Teilenummer STL42P4LLF6
PNEDA Teilenummer STL42P4LLF6
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STL42P4LLF6 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTL42P4LLF6
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STL42P4LLF6, STL42P4LLF6 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 439,14 KB)
PDFSTL42P4LLF6 Datenblatt Cover
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STL42P4LLF6 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ F6
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2850pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)75W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerFlat™ (5x6)
Paket / Fall8-PowerVDFN

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.7A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1019pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-PQFN (2x2)

Paket / Fall

6-PowerVDFN

FQP3N80

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

SIHG32N50D-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

IRF610

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STFU23N80K5

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ K5

FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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