IRFR430ATRLPBF
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| Teilenummer | IRFR430ATRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFR430ATRLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFR430ATRLPBF Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFR430ATRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRFR430ATRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 800mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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