Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFI510G

IRFI510G

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI510G
PNEDA Teilenummer IRFI510G
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFI510G Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI510G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFI510G, IRFI510G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.042,48 KB)
PDFIRFI510G Datenblatt Cover
IRFI510G Datenblatt Seite 2 IRFI510G Datenblatt Seite 3 IRFI510G Datenblatt Seite 4 IRFI510G Datenblatt Seite 5 IRFI510G Datenblatt Seite 6 IRFI510G Datenblatt Seite 7 IRFI510G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFI510G Datasheet
  • where to find IRFI510G
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFI510G
  • IRFI510G PDF Datasheet
  • IRFI510G Stock

  • IRFI510G Pinout
  • Datasheet IRFI510G
  • IRFI510G Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFI510G Price
  • IRFI510G Distributor

IRFI510G Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)27W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STB40NF10LT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMFS5C410NLTT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Ta), 330A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8862pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRF9640SPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NX138BKWX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

210mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

266mW (Ta), 1.33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

RE1L002SNTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Kürzlich verkauft

SMBJ6.5CA

SMBJ6.5CA

Littelfuse

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

ES1JAF

ES1JAF

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

D1213A-04TS-7

D1213A-04TS-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

MAX16025TE+

MAX16025TE+

Maxim Integrated

IC SUPERVISORY CIRC DL 16TQFN

MA2SD2500L

MA2SD2500L

Panasonic Electronic Components

DIODE SCHOTTKY 15V 200MA SSMINI2

L7924CV

L7924CV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -24V 1.5A TO220AB

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

HCTL-1101-PLC

HCTL-1101-PLC

Broadcom

IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 44PLCC

SMF5.0A

SMF5.0A

Littelfuse

TVS DIODE 5V 9.2V SOD123F

83023AMILF

83023AMILF

IDT, Integrated Device Technology

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC