IRF7705
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| Teilenummer | IRF7705 |
| PNEDA Teilenummer | IRF7705 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7705 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7705 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF7705 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2774pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 840mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.65nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 37pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 530mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-75 Paket / Fall SC-75, SOT-416 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 219pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 169mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 172pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-CPH Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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