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IRF7507TR

IRF7507TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRF7507TR
PNEDA Teilenummer IRF7507TR
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $10,4352
100 ---------- $9,9460
250 ---------- $9,4569
500 ---------- $8,9678
750 ---------- $8,5601
1.000 ---------- $8,1525
Auf Lager 1.813
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF7507TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF7507TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
IRF7507TR, IRF7507TR Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 216,02 KB)
PDFIRF7507TR Datenblatt Cover
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IRF7507TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.4A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds260pF @ 15V
Leistung - max1.25W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
LieferantengerätepaketMicro8™

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Leistung - max

280mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W, 1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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