SI4539ADY-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4539ADY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SI4539ADY-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 34.649 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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SI4539ADY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4539ADY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4539ADY-T1-GE3, SI4539ADY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4539ADY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.4A, 3.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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