IRF7311TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF7311TR |
| PNEDA Teilenummer | IRF7311TR |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.618 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7311TR Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7311TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IRF7311TR Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 571mA (Ta), 304mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V Leistung - max 510mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 30V Leistung - max 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 99A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V Leistung - max 781W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 64A, 145A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V Leistung - max 31W, 50W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) |
