IRF7210TRPBF
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| Teilenummer | IRF7210TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF7210TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 23 - Mär 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF7210TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7210TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF7210TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17179pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 18V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 200mA, 3V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall TO-243AA |
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