IRF6798MTRPBF
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Teilenummer | IRF6798MTRPBF |
PNEDA Teilenummer | IRF6798MTRPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.050 |
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IRF6798MTRPBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRF6798MTRPBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IRF6798MTRPBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 37A (Ta), 197A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 37A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6560pF @ 13V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
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