IRF6603TR1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF6603TR1 |
| PNEDA Teilenummer | IRF6603TR1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF6603TR1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF6603TR1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF6603TR1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Ta), 92A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6590pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MT |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MT |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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