IPN95R3K7P7ATMA1
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| Teilenummer | IPN95R3K7P7ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPN95R3K7P7ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPN95R3K7P7ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPN95R3K7P7ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPN95R3K7P7ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
| Paket / Fall | TO-261-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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