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IRF5805TRPBF

IRF5805TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF5805TRPBF
PNEDA Teilenummer IRF5805TRPBF
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
Hersteller Infineon Technologies
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IRF5805TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF5805TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRF5805TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds511pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketMicro6™(TSOP-6)
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NVMFS5C670NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Ta), 71A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 61W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

245nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6725pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

NDT455N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

STP75NS04Z

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

33V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

CEDM7004 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.78A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.79nC @ 4.5V

Vgs (Max)

8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-883

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Kürzlich verkauft

ADM1184ARMZ-REEL7

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STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A

S25FL256SAGBHIA00

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Cypress Semiconductor

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TVS DIODE 5V 9.2V SMA

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DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

IRF7853PBF

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MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

MK64FN1M0VLL12

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NXP

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

BZT52C8V2S-7-F

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Diodes Incorporated

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BCV62C,215

BCV62C,215

Nexperia

TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B