CEDM7004 TR
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| Teilenummer | CEDM7004 TR |
| PNEDA Teilenummer | CEDM7004-TR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.014 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CEDM7004 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CEDM7004 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CEDM7004 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.78A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.79nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-883 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24740pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 306W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PN Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 98A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3181pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 183W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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