CEDM7004 TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | CEDM7004 TR |
| PNEDA Teilenummer | CEDM7004-TR |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CEDM7004 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CEDM7004 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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CEDM7004 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.78A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.79nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-883 |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 313W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket U-G1 Paket / Fall U-G1 |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 695W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 98A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3181pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 183W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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