IRF530S
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF530S |
| PNEDA Teilenummer | IRF530S |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF530S Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRF530S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRF530S Datasheet
- where to find IRF530S
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix IRF530S
- IRF530S PDF Datasheet
- IRF530S Stock
- IRF530S Pinout
- Datasheet IRF530S
- IRF530S Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- IRF530S Price
- IRF530S Distributor
IRF530S Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 20V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 93W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.8A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 14.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 47W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DP Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
