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STB23NM60N

STB23NM60N

Nur als Referenz

Teilenummer STB23NM60N
PNEDA Teilenummer STB23NM60N
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.712
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STB23NM60N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTB23NM60N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STB23NM60N, STB23NM60N Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 560,11 KB)
PDFSTB23NM60N Datenblatt Cover
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STB23NM60N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2050pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

ZVP4525GTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

265mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

73pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

76mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

660W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

ZVN0540ASTOA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

IPF04N03LA G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5199pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

P-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323

MAX3645EEE+T

MAX3645EEE+T

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

TLMG3100-GS08

TLMG3100-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED GREEN CLEAR 2PLCC SMD

MCP6004-I/SL

MCP6004-I/SL

Microchip Technology

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

PIC16F72-I/SO

PIC16F72-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 28SOIC

MF-R050

MF-R050

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PTC RESET FUSE 60V 500MA RADIAL

DR73-1R0-R

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Eaton - Electronics Division

FIXED IND 1UH 5.28A 10.2 MOHM

MAX8556ETE+

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IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

MAX5525ETC+T

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IC DAC 10BIT V-OUT 12TQFN

3224W-1-101E

3224W-1-101E

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TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

MAX3218EAP+T

MAX3218EAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP