Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF3708S

IRF3708S

Nur als Referenz

Teilenummer IRF3708S
PNEDA Teilenummer IRF3708S
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF3708S Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF3708S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF3708S, IRF3708S Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 142,42 KB)
PDFIRF3708L Datenblatt Cover
IRF3708L Datenblatt Seite 2 IRF3708L Datenblatt Seite 3 IRF3708L Datenblatt Seite 4 IRF3708L Datenblatt Seite 5 IRF3708L Datenblatt Seite 6 IRF3708L Datenblatt Seite 7 IRF3708L Datenblatt Seite 8 IRF3708L Datenblatt Seite 9 IRF3708L Datenblatt Seite 10 IRF3708L Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF3708S Datasheet
  • where to find IRF3708S
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF3708S
  • IRF3708S PDF Datasheet
  • IRF3708S Stock

  • IRF3708S Pinout
  • Datasheet IRF3708S
  • IRF3708S Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF3708S Price
  • IRF3708S Distributor

IRF3708S Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2417pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)87W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TK40E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

TK12P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 300V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AOTF454L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SIHG22N50D-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

312W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

FDP3672

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

105V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.9A (Ta), 41A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

DS5000FP-16+

DS5000FP-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

STGW45HF60WDI

STGW45HF60WDI

STMicroelectronics

IGBT 600V 70A 250W TO247

SRN6045TA-470M

SRN6045TA-470M

Bourns

FIXED IND 47UH 1.6A 200 MOHM SMD

XCZU9EG-1FFVB1156I

XCZU9EG-1FFVB1156I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A53 1156FCBGA

NC7SZ08P5X

NC7SZ08P5X

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SC70-5

SML-LX0603GW-TR

SML-LX0603GW-TR

Lumex Opto/Components Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

CS51414EDR8G

CS51414EDR8G

ON Semiconductor

IC REG BUCK ADJ 1.5A 8SOIC

ADA4096-2ARMZ

ADA4096-2ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

AD829JRZ

AD829JRZ

Analog Devices

IC VIDEO OPAMP LN HS 8-SOIC

AN7706SP-E1

AN7706SP-E1

Panasonic Electronic Components

IC REG LINEAR 6V 1.2A SP3SUA

9ZXL0831EKILF

9ZXL0831EKILF

IDT, Integrated Device Technology

DB800ZL