IR2235PBF
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| Teilenummer | IR2235PBF |
| PNEDA Teilenummer | IR2235PBF |
| Beschreibung | IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-DIP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.272 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR2235PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR2235PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IR2235PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | 3-Phase |
| Anzahl der Treiber | 6 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 250mA, 500mA |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1200V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 90ns, 40ns |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 28-DIP (0.600", 15.24mm) |
| Lieferantengerätepaket | 28-PDIP |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7.5V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 2.4V, 9.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
