IPP052NE7N3GXKSA1
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| Teilenummer | IPP052NE7N3GXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPP052NE7N3GXKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 177.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP052NE7N3GXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP052NE7N3GXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IPP052NE7N3GXKSA1, IPP052NE7N3GXKSA1 Datenblatt
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IPP052NE7N3GXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 37.5V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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