IPG20N06S3L-35
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| Teilenummer | IPG20N06S3L-35 |
| PNEDA Teilenummer | IPG20N06S3L-35 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPG20N06S3L-35 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPG20N06S3L-35 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IPG20N06S3L-35 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Leistung - max | 30W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 515mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-HUSON-EP (2x2) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
