IPG20N06S3L-35 Datenblatt
IPG20N06S3L-35 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IPG20N06S3L-35
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 25V Leistung - max 30W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
