IPA50R350CPXKSA1
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| Teilenummer | IPA50R350CPXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPA50R350CPXKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.022 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPA50R350CPXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPA50R350CPXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPA50R350CPXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie UniFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 137nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6630pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 625W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
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