ILD1211T
Nur als Referenz
| Teilenummer | ILD1211T |
| PNEDA Teilenummer | ILD1211T |
| Beschreibung | SOIC-8 CPL 110C DUAL CTR>20% |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.868 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ILD1211T Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Opto Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ILD1211T |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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ILD1211T Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Opto Division |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | - |
| Spannungsisolation | - |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | - |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | - |
| Ausgabetyp | - |
| Spannung - Ausgang (max.) | - |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Everlight Electronics Co Ltd Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 200% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 400% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 4-SMD |
Hersteller QT Brightek (QTB) Serie Q817 Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 130% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 260% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 6µs, 8µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 35V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.24V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4170Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3.5µs (Max) Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 150% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
