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Q817B

Q817B

Nur als Referenz

Teilenummer Q817B
PNEDA Teilenummer Q817B
Beschreibung DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO
Hersteller QT Brightek (QTB)
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Q817B Ressourcen

Marke QT Brightek (QTB)
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQ817B
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
Q817B, Q817B Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.949,05 KB)
PDFQ817 Datenblatt Cover
Q817 Datenblatt Seite 2 Q817 Datenblatt Seite 3 Q817 Datenblatt Seite 4 Q817 Datenblatt Seite 5 Q817 Datenblatt Seite 6 Q817 Datenblatt Seite 7 Q817 Datenblatt Seite 8 Q817 Datenblatt Seite 9 Q817 Datenblatt Seite 10 Q817 Datenblatt Seite 11

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Q817B Technische Daten

HerstellerQT Brightek (QTB)
SerieQ817
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)130% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)260% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)6µs, 8µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)35V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.24V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)200mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 110°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket4-DIP

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Isocom Components 2004 LTD

Serie

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Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60µs, 53µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

30% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FODM217

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SOP

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

25% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

60% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

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