IKW30N65NL5XKSA1
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| Teilenummer | IKW30N65NL5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKW30N65NL5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.744 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKW30N65NL5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKW30N65NL5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKW30N65NL5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 227W |
| Schaltenergie | 560µJ (on), 1.35mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 168nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 59ns/283ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 59ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Leistung - max 176W Schaltenergie 850µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 153nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/220ns Testbedingung 400V, 30A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 20A Leistung - max 50.4W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 73nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 385nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/166ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 394W Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/245ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
