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IKW30N60TFKSA1

IKW30N60TFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW30N60TFKSA1
PNEDA Teilenummer IKW30N60TFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.812
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKW30N60TFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW30N60TFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW30N60TFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 30A
Leistung - max187W
Schaltenergie1.46mJ
EingabetypStandard
Gate Charge167nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/254ns
Testbedingung400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)143ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

Leistung - max

1042W

Schaltenergie

1620µJ (on), 2500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

320nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/163ns

Testbedingung

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

APT100GT60B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

148A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.25mJ (on), 3.125mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

460nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/320ns

Testbedingung

400V, 100A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

APT27GA90BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

79A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 14A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

413µJ (on), 287µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/98ns

Testbedingung

600V, 14A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

NGTB40N120LWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

5.5mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

140ns/360ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGD10NC60ST4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/160ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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