IKP40N65H5XKSA1
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| Teilenummer | IKP40N65H5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKP40N65H5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 650V 74A 255W TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.044 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKP40N65H5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKP40N65H5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKP40N65H5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 74A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 255W |
| Schaltenergie | 390µJ (on), 120µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 95nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/165ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.62V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 160µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/51ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/215ns Testbedingung 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 99A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 70A Leistung - max 350W Schaltenergie 4.77mJ (on), 9.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 51ns/280ns Testbedingung 960V, 70A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-274AA Lieferantengerätepaket SUPER-247™ (TO-274AA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 255W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 132nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/245ns Testbedingung 180V, 35A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 460V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.0V @ 5V, 10A Leistung - max 107W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 500ns/4µs Testbedingung 300V, 8A, 100Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 75°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
