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IGW75N60TFKSA1

IGW75N60TFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGW75N60TFKSA1
PNEDA Teilenummer IGW75N60TFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 150A 428W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.166
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGW75N60TFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGW75N60TFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGW75N60TFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 75A
Leistung - max428W
Schaltenergie4.5mJ
EingabetypStandard
Gate Charge470nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.33ns/330ns
Testbedingung400V, 75A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

187nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/152ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

488ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGP8NC60K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

49A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.81mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/240ns

Testbedingung

480V, 27A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 3A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 3A, 330Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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