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IGP15N60TXKSA1

IGP15N60TXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGP15N60TXKSA1
PNEDA Teilenummer IGP15N60TXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.480
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGP15N60TXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGP15N60TXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGP15N60TXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 15A
Leistung - max130W
Schaltenergie570µJ
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/188ns
Testbedingung400V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 35A

Leistung - max

368W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/172ns

Testbedingung

600V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

337ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

AOK75B60D1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

290A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

118nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/84ns

Testbedingung

400V, 75A, 4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

147ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

RGS80TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

3mJ (on), 3.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/199ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

7.2mJ (on), 1.04mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/390ns

Testbedingung

1500V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

80µJ (on), 605µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

7.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/225ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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