FGL35N120FTDTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGL35N120FTDTU | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGL35N120FTDTU | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 70A 368W TO264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 461 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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FGL35N120FTDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGL35N120FTDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGL35N120FTDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 368W |
| Schaltenergie | 2.5mJ (on), 1.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/172ns |
| Testbedingung | 600V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 337ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 160W Schaltenergie 240µJ (on), 110µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/77ns Testbedingung 400V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie Polar™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 250ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 220W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 575ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
