IGB03N120H2ATMA1
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| Teilenummer | IGB03N120H2ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGB03N120H2ATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.256 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGB03N120H2ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGB03N120H2ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGB03N120H2ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9.6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 9.9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 62.5W |
| Schaltenergie | 290µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9.2ns/281ns |
| Testbedingung | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 210W Schaltenergie 1.06mJ (on), 620µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 47A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Leistung - max 206W Schaltenergie 95µJ (on), 350µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/105ns Testbedingung 400V, 18A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 12A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.4µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 37W Schaltenergie 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42.5ns/177ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
