IDT71V25761YSA166BGI
Nur als Referenz
Teilenummer | IDT71V25761YSA166BGI |
PNEDA Teilenummer | IDT71V25761YSA166BGI |
Beschreibung | IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA |
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.398 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IDT71V25761YSA166BGI Ressourcen
Marke | IDT, Integrated Device Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IDT71V25761YSA166BGI |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IDT71V25761YSA166BGI Datasheet
- where to find IDT71V25761YSA166BGI
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology IDT71V25761YSA166BGI
- IDT71V25761YSA166BGI PDF Datasheet
- IDT71V25761YSA166BGI Stock
- IDT71V25761YSA166BGI Pinout
- Datasheet IDT71V25761YSA166BGI
- IDT71V25761YSA166BGI Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- IDT71V25761YSA166BGI Price
- IDT71V25761YSA166BGI Distributor
IDT71V25761YSA166BGI Technische Daten
Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
Speichergröße | 4.5Mb (128K x 36) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 3.5ns |
Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 119-BGA |
Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (6x10) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 7ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-VFBGA Lieferantengerätepaket 90-VFBGA (8x13) |