IDT70P3337S250RM
Nur als Referenz
| Teilenummer | IDT70P3337S250RM |
| PNEDA Teilenummer | IDT70P3337S250RM |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDT70P3337S250RM Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDT70P3337S250RM |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
IDT70P3337S250RM, IDT70P3337S250RM Datenblatt
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IDT70P3337S250RM Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| Speichergröße | 9Mb (512K x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 6.3ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 576-BBGA, FCBGA |
| Lieferantengerätepaket | 576-FCBGA (25x25) |
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