IDT70P3337S250RM Datenblatt
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6.3ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 233MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.2ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 233MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.2ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6.3ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 233MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.2ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 233MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.2ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 576-BBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket 576-FCBGA (25x25) |
