IDC08D120T6MX1SA2
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Teilenummer | IDC08D120T6MX1SA2 |
PNEDA Teilenummer | IDC08D120T6MX1SA2 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.968 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDC08D120T6MX1SA2 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IDC08D120T6MX1SA2 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDC08D120T6MX1SA2 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.05V @ 10A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2.7µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 175°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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