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HUFA76423D3

HUFA76423D3

Nur als Referenz

Teilenummer HUFA76423D3
PNEDA Teilenummer HUFA76423D3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HUFA76423D3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHUFA76423D3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HUFA76423D3, HUFA76423D3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 199,5 KB)
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HUFA76423D3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUltraFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

SI9407BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF630FP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MESH OVERLAY™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FCD600N65S3R0

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPI80N06S2L-11

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

BNX024H01L

BNX024H01L

Murata

FILTER LC 4.7UF SMD

ADV7123SCP170EP-RL

ADV7123SCP170EP-RL

Analog Devices

IC DAC 10BIT A-OUT 48LQFP

ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

LT1129IQ#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 5DDPAK

MCP73832T-2ATI/OT

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Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR SOT23-5

AP2111MPG-13

AP2111MPG-13

Diodes Incorporated

IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP

AT25F2048N-10SU-2.7

AT25F2048N-10SU-2.7

Microchip Technology

IC FLASH 2M SPI 33MHZ 8SOIC

HCPL-5631

HCPL-5631

Broadcom

OPTOISO 1.5KV 2CH OPEN COLL 8DIP

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM