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HUFA76423D3

HUFA76423D3

Nur als Referenz

Teilenummer HUFA76423D3
PNEDA Teilenummer HUFA76423D3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HUFA76423D3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHUFA76423D3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HUFA76423D3, HUFA76423D3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 199,5 KB)
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HUFA76423D3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUltraFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

FQP44N08

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

127W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IPD50R380CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

584pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

98W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCD600N65S3R0

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPI80N06S2L-11

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3-1

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1411

DS3232SN#T&R

DS3232SN#T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 20-SOIC

MAX238CWG

MAX238CWG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 24SOIC

MC33275ST-3.0T3G

MC33275ST-3.0T3G

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 300MA SOT223

DS1230Y-150

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Maxim Integrated

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

XC7Z045-2FFG676I

XC7Z045-2FFG676I

Xilinx

IC SOC CORTEX-A9 800MHZ 676FCBGA

M4A5-32/32-10JNC

M4A5-32/32-10JNC

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

LT1963AEFE-3.3#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A 16TSSOP

1812L160/12DR

1812L160/12DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 12V 1.6A 1812

AD842KQ

AD842KQ

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 14CERDIP

0437007.WR

0437007.WR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 32VAC 35VDC 1206

BYV72EW-200,127

BYV72EW-200,127

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DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3