Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FCD600N65S3R0

FCD600N65S3R0

Nur als Referenz

Teilenummer FCD600N65S3R0
PNEDA Teilenummer FCD600N65S3R0
Beschreibung SUPERFET3 650V DPAK PKG
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.284
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FCD600N65S3R0 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFCD600N65S3R0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FCD600N65S3R0, FCD600N65S3R0 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 408,94 KB)
PDFFCD600N65S3R0 Datenblatt Cover
FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 2 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 3 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 4 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 5 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 6 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 7 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 8 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 9 FCD600N65S3R0 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FCD600N65S3R0 Datasheet
  • where to find FCD600N65S3R0
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FCD600N65S3R0
  • FCD600N65S3R0 PDF Datasheet
  • FCD600N65S3R0 Stock

  • FCD600N65S3R0 Pinout
  • Datasheet FCD600N65S3R0
  • FCD600N65S3R0 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FCD600N65S3R0 Price
  • FCD600N65S3R0 Distributor

FCD600N65S3R0 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSuperFET® III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds465pF @ 400V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)54W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-PAK (TO-252)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQA70N15

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

SIR416DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

FCPF190N65S3L1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

33W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IXFR150N15

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

HAT2168HWS-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

RB481KTL

RB481KTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4

PIC32MX795F512L-80I/PT

PIC32MX795F512L-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP

L6221AD

L6221AD

STMicroelectronics

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

MCP1826-3302E/ET

MCP1826-3302E/ET

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 1A 5DDPAK

XC878CM16FFI5VACFXUMA1

XC878CM16FFI5VACFXUMA1

Infineon Technologies

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 64LQFP

MP8125EF-LF-Z

MP8125EF-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG CONV LNB 1OUT 16TSSOP

CRCW020110K0JNED

CRCW020110K0JNED

Vishay Dale

RES SMD 10K OHM 5% 1/20W 0201

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

SMBJ33CA

SMBJ33CA

Semtech

1-LINE 33V 11.3A TVS DO-214AA

IXFK90N20

IXFK90N20

IXYS

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA