HERF1007GAHC0G
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| Teilenummer | HERF1007GAHC0G |
| PNEDA Teilenummer | HERF1007GAHC0G |
| Beschreibung | DIODE, HIGH EFFICIENT |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HERF1007GAHC0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HERF1007GAHC0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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HERF1007GAHC0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Lieferantengerätepaket | ITO-220AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 126A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5mA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AC (DO-15) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 45ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
