VS-1N1186A
Nur als Referenz
| Teilenummer | VS-1N1186A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | VS-1N1186A | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 202 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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VS-1N1186A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-1N1186A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-1N1186A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 126A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2.5mA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-203AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 200°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 25V Current - Average Rectified (Io) 150mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100pA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 3.5pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 750mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 750mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 175pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 85A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 85A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
