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HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7

Nur als Referenz

Teilenummer HBDM60V600W-7
PNEDA Teilenummer HBDM60V600W-7
Beschreibung TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 90.450
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HBDM60V600W-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHBDM60V600W-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
HBDM60V600W-7, HBDM60V600W-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 125,75 KB)
PDFHBDM60V600W-7 Datenblatt Cover
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HBDM60V600W-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA, 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V, 60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

320MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSMT6 (SC-95)

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V, 50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

50MHz, 40MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

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Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 15V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 10V

Leistung - max

-

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Betriebstemperatur

-

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