Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HAT2192WP-EL-E

HAT2192WP-EL-E

Nur als Referenz

Teilenummer HAT2192WP-EL-E
PNEDA Teilenummer HAT2192WP-EL-E
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.760
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HAT2192WP-EL-E Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHAT2192WP-EL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HAT2192WP-EL-E, HAT2192WP-EL-E Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 218,15 KB)
PDFHAT2192WP-EL-E Datenblatt Cover
HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 2 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 3 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 4 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 5 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 6 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 7 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 8 HAT2192WP-EL-E Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HAT2192WP-EL-E Datasheet
  • where to find HAT2192WP-EL-E
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America HAT2192WP-EL-E
  • HAT2192WP-EL-E PDF Datasheet
  • HAT2192WP-EL-E Stock

  • HAT2192WP-EL-E Pinout
  • Datasheet HAT2192WP-EL-E
  • HAT2192WP-EL-E Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • HAT2192WP-EL-E Price
  • HAT2192WP-EL-E Distributor

HAT2192WP-EL-E Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)25W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-WPAK
Paket / Fall8-PowerWDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRLB3034PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

195A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

162nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10315pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

RRS130N03TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 5V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQPF4N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FDD7030BL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1425pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN022-30PL,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

447pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

AD8421ARMZ-R7

AD8421ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8MSOP

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

IS43TR16128D-125KBLI

IS43TR16128D-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

DTC114EETL

DTC114EETL

Rohm Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

HX5401NL

HX5401NL

Pulse Electronics Network

XFRMR MODL 4PORT POE GIGABIT

EEE-FK1V100R

EEE-FK1V100R

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 10UF 20% 35V SMD

BC857B

BC857B

STMicroelectronics

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

IRFU9024NPBF

IRFU9024NPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

BAT54CXV3T1G

BAT54CXV3T1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SC89-3

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

CM1213-08MR

CM1213-08MR

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 8.8V 10MSOP